当需要更多的电机功率（=扭矩）时，通过施加更大的电流来增加它。然而，热量的产生会同时增加。
本节说明电机和驱动器 IC 发热的图像。
1. 电机发热
铜损：P = 由电机线圈的绕组电阻和流过的电流产生的功率损耗 (I2R)。
铁损：由磁场及其变化引起的损耗。有磁滞损耗和磁体因磁场变化而产生涡流损耗。涡流损耗的产生原理与电磁炉（=微波炉）在烹饪器具中产生热量的原理相同。在电动机中，通过堆积薄铁板（层压钢板）可以减少涡流损耗。
机器损耗：由于电机中的摩擦或空气阻力造成的损耗。比例很小。
在这些损耗中，机器损耗的比例很小，当高速旋转可能需要层压钢板的中型到大型电机时，铁损变得显着。
对于 NPM 中 PM 型等微型电机，铜损占热量的很大一部分。
步进电机的铜耗是由电机线圈的电阻分量R和流过的电流产生的电能损耗。然而，由于步进电机具有 A 相和 B 相两个线圈，因此两个线圈的电力损耗会变成热量。 *1
[PCLOSS = (I2 × R) × 2] [图 1]
另外，电机所能承受的允许电功率几乎是由大小决定的，从电机的额定电压和绕组电阻可以粗略推算出允许电功率。
[PMOTOR ≒ (V2 ÷ R) × 2]
但是，这个允许的电功率如果不辐射热量会导致电机表面温度很高，因此必须考虑这个温度问题。
热辐射和电流减少对抑制热量有效，特别是功率与电流的平方成正比，因此将电流减少到 70% 会产生约 1/2 的热量，而电流减半会产生约 1/2 的热量。 1/4。
*1
在 2-2 相励磁中，电流施加到两个线圈：A 相和 B 相。
在1-2相励磁中，电流依次流过一个线圈和两个线圈。
在微步进中，电流流过两个线圈，但电流的比例发生变化，因此与有效电流的计算更接近。
2.驱动IC发热
驱动 IC 的大部分热量是在功率元件中产生的。
FET：当 FET 导通且电流产生的功率损耗 (P = I2R) 时，漏极和源极之间的电阻值。
晶体管（双极）：由集电极-发射极电压和电流产生的功率损耗 (P=VI)。
二极管：由二极管的正向电压和正向电流产生的功率损耗 (P=VI)。
此外，开关损耗会导致发热。 【图2】
近年来，FET ON 电阻低至 0.1 至 0.4 Ω 左右，大多数驱动 IC 使用 FET 元件。
例如，当施加IM=1A的电流时，假设晶体管的集电极-发射极电压饱和电压：VCE = 0.6V，FET导通电阻：RDS = 0.2Ω，
晶体管损耗：1A × 0.6 V = 0.6 W，
FET 损耗：1A2 × 0.2 Ω = 0.2 W
现在，由于功率损耗更低，FET 的使用越来越多。 *2
过去，再生电流是通过与 FET 并联的二极管再生的，但是，最近越来越多的 IC 越来越多地使用，通过使再生电流通过 FET 以小于功率损耗的损耗（P= VＦ × I)F 再生时的二极管。 【图3】
驱动器 IC 由单极驱动器和双极驱动器组成。在计算双极驱动器的功率损耗时，您必须通过电流通过的上下 FET 导通电阻的组合电阻来计算 [图 4]。由于有 A 相和 B 相两个线圈，两个电路的功率损耗在两个驱动 IC 中都变成了热量。
[PLOSS = (I2 × RDS) × 2]
驱动 IC 的允许发热量由考虑 IC 规格降额的功率耗散 (W) 决定，并根据工作温度、环境温度、散热条件等计算得出。最后，您将操作电机在各种条件下并测量温度以判断其有效性。 *3
与电机类似，散热和降低电流可有效减少驱动 IC 中的热量。电流降到 70% 时发热约为 1/2，电流减半时发热约为 1/4。
*2因为功率与电流的平方成正比，所以晶体管可能有利于大电流，例如使用 IGBT。
*3驱动IC有目标电机电流，用大电流驱动IC驱动小电流电机时，可能难以调整该电流。在这种情况下，我们建议事先与 IC 制造商确认。